机器人与智能制造项目推介整理——25、基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及装置

申请号:  

CN201510770348.3

申请日:

2015.11.12

应用领域:  

微电子、微光学、微纳结构和光电子器件制备等微纳加工领域的光刻技术领域

项目简介:  

本发明公开了一种基于紫外宽光谱自成像制备二维周期阵列的光刻方法及其装置，其特点是，当采用非单色紫外宽光谱照明周期掩模时，不同光谱和级次的自成像光场分布相互交错叠加，在掩模后一定距离范围内可形成连续可成像区域。本发明利用紫外宽光谱自成像的可成像焦深范围大，给出了制备二维周期阵列的光刻的具体步骤及其装置。采用紫外宽光谱自成像光刻术制作周期阵列结构大大降低了对硅片形貌、定位精度的要求。 

技术优势:

发明采用常规紫外宽光谱光刻光源汞灯，成本较低；本发明由于可以在接近光刻方式 下工作，能够实现大面积微纳光刻，具有较好的工艺适应性；本发明采用宽光谱照明方式， 可以极大拓展可光刻区域，即超长焦深；本发明采用固定型曝光模式，简化实验机构，能同时记录下自成像和相移自成像，实现相对于掩模的周期倍频；本发明光强控制简单，并且加工所得二维周期阵列结构的周期能有效缩小为掩膜板上阵列周期的一半，分辨力能达到或接近衍射极限。本发明将为大面积、高精度、图案复杂化的周期性微纳结构加工提供一条更为便捷、高效的新途径。

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