新材料项目推介——97.在 Ge 衬底上生长 GaAs 外延薄膜的方法

专利申请号:  

CN201510082868.5

专利类型

  发明

IPC 分类号:   

C30B29/42 C30B25/02 H01L21/02

应用领域:  

半导体材料，应用于太阳能电池等

摘要:   

本发明公开了一种在 Ge 衬底上生长 GaAs 外延薄膜的方法，包括步骤：S101、选取 Ge 衬底置于反应腔室中；S102、在所述 Ge 衬底上生长一 As 原子层；S103、在所述 As 原子层上生长一 GaAs 缓冲层， 对所述 GaAs 缓冲层反复进行退火工艺，直至由 RHEED 观察到的图像由点状变为线状；S104、在所述 GaAs 缓冲层上生长 GaAs 外延薄膜。该方法能够促进 Ge 衬底和 GaAs 外延薄膜之间的反相畴自湮灭，提高了外延薄膜的晶体质量和改善了外延薄膜的表面形貌。

（以上资讯来源于网络，如有侵权，请联系管理员删除。）