新材料项目推介——65、一种制备 HfC-SiC 复相陶瓷的方法

专利申请号:  

CN201310185351.X

专利类型:

  发明

IPC 分类号:   

C04B35/56

C04B35/622

应用领域:  

耐高温陶瓷制备

摘要:   

本发明公开了一种制备HfC-SiC 复相陶瓷的方法，其包括如下步骤： a)制备 HfC-Si3N4-C 混合粉体；b)制备 HfC-Si3N4-C 生坯；c)先在惰性气氛或真空条件下于 800～1400℃保温 1～2 小时，制得 HfC-SiC 坯体，再在惰性气氛中于 1900～2300℃下继续烧结 0.5～1 小时， 制得 HfC-SiC 复相陶瓷。本发明所制备的 HfC-SiC 复相陶瓷的致密度高达 100%、平均晶粒尺寸均小于 1μm；在惰性气氛下可耐 2300℃ 高温，且相组成稳定；在 1500℃的四点弯曲强度可达到 350MPa 以上；另外，本发明方法还具有原料价廉易得、制备工艺简单、可操控性强、容易实现规模化等优点。

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