新材料项目推介——64、一种外延碳化硅 石墨烯复合薄膜的制备方法

专利申请号:  

CN201410392278.8

专利类型:

  发明

IPC 分类号:   

C23C16/26 C30B25/18

应用领域:  

半导体薄膜材料

摘要:   

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种外延生长碳化硅 石墨烯复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：将预处理后的基底置于化学气相沉积腔体中，控制所述气相沉积腔体绝对真空度高于 10 ⁴帕，1500～1600℃下在所述基底表面生长 2～10 微米的碳化硅外延层；控制所述化学气相沉积腔体的温度降低至 1000℃，在保护气氛下对所述化学气相沉积腔体从 1000℃加热升温至 1600℃，使所述碳化硅外延层结构分解及重组，在所述基底上获得石墨烯复合层。该方法能够不完全依赖于价格昂贵的单晶 SiC 基底材料，而是采用高温化学气相沉积设备，实现碳化硅外延层 石墨烯的连续生长。

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