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发表于:2020-01-09
作者:科翔信息
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专利申请号:
CN201510418813.7
专利类型:
发明
IPC 分类号:
C30B29/36 C30B25/12 C30B23/02
应用领域:
半导体材料,应用于电力转换、太阳能光伏、电动汽车、高效马达等领域
摘要:
本发明涉及一种石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉,所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体结构。所述晶体生长炉, 包括:位于反应室内的石墨托,以及设置在所述反应室周向的加热装置,其特征在于,所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体,所述石墨托上部设有台面,所述加热装置的位置配合所述石墨托以对其进行加热。本发明设置的石墨托中部设有径向尺寸较小的中部,在石墨托外周设置的加热装置向石墨托进行振荡加热后,石墨托上部的台面能够获得较为均匀的热量,热量在台面上分布较为均匀,从而保证衬底上的温度较为均匀,为晶体外延生长过程中提供了均匀的温度环境,保证衬底上晶体外延生长均有较好的均匀性。
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