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发表于：2019-12-04
作者：科翔信息
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专利申请号:
CN201410025120.7
专利类型:
发明
IPC 分类号:
C30B25/02 C30B29/06 C30B29/62
应用领域:
微纳米材料
摘要:
本发明公开了一种制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的方法，包括如下步骤：1)将前驱体放入第一容器中，并将第一容器放入反应器的高温区；取催化剂放入第二容器中，并将第二容器放入反应器的低温区，使反应器为真空状态；2)加热反应器，自然冷却至室温， 然后向所述反应器的腔内充入空气，打开反应器，在所述第二容器中得到超长一维单晶硅纳米/微米结构。本发明方法具有简单，可控性好，可大量制备超长一维单晶硅纳米/微米结构的特点。
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