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发表于:2019-12-03
作者:科翔信息
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专利申请号:
CN200910223362.6
专利类型:
发明
IPC 分类号:
C07D401/10 C09K11/06 H01L51/05 H01L51/30 H01L51/42
H01L51/46 H01L51/50 H01L51/54 H01L51/00
应用领域:
半导体材料,应用于有机电致发光器件
摘要:
本发明属于有机电致发光器件中的有机电子传输/空穴阻挡材料领域,特别涉及用于有机电子传输和/或空穴阻挡材料的一类多芳基取代吡啶衍生物及其合成方法,以及用该类多芳基取代吡啶衍生物材料制备有机电致发光器件方面的用途。本发明通过分子设计,引入一些具有刚性结构的大取代基使其不易形成激基复合物,并抑制其结晶过程,改善其成膜性,提高其电荷传输性能;同时,分子共平面性的破坏将使其发射峰蓝移,进而达到改善器件性能的目的。本发明的一类多芳基取代吡啶衍生物包括如下结构。
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