新材料项目推介——11、一种基于 SOI 和电铸技术的金属纳米线阵及其制备方法

专利申请号:  

CN201210027790.3

专利类型:

发明

IPC 分类号:   

C25D1/04C25D1/10 C30B29/02 C30B29/62 C30B30/02

B82Y30/00 B82Y40/00

应用领域:  

亚波长人工电磁材料

摘要:   

本发明提供一种基于绝缘硅(SOI)和电铸技术的金属纳米线阵及其 制备方法，该金属纳米线阵的各金属线之间由掺杂硅介质材料填充， 其制备流程包括：选取SOI，并在其上下表面各沉积一层氮化硅薄膜；采用光刻及干法刻蚀，在 SOI 下底面氮化硅膜层上制作一个开口，露出体硅表面；采用氢氧化钾湿法腐蚀，以氮化硅为掩蔽层将露出的体硅表面腐蚀完毕，露出二氧化硅表面；在 SOI 的上表面涂覆光刻胶，通过光刻和刻蚀制作纳米通孔；将具有纳米通孔的 SOI 器件电铸，获得掺杂硅包裹的金属线条；采用干法刻蚀将氮化硅去除，并用氢氟酸溶液去除二氧化硅，完成金属纳米线阵的制备。本发明不易损伤，且采用SOI 片进行制作，避免了掺杂不均、掺杂层厚度难控制等缺点。

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