新材料项目推介——29、LED 芯片及提高 LED 芯片出光效率的方法

专利申请号:  

CN201410320016.0

专利类型:

发明

IPC 分类号:   

H01L33/10

应用领域:  

LED 芯片

摘要:   

本申请公开了一种 LED 芯片及提高 LED 芯片出光效率的方法，该方法包括：s1、在透明衬底上依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层；s2、通过透明衬底一侧，通过激光聚焦的方法在透明衬底内部、和/或第一半导体层上形成光反射结构，该光反射结构为多个空腔、不同相界面、非平面结构或粗糙界面。本发明在已经制作好的 LED 芯片上，通过激光手段在半导体层或衬底的内部形成光反射结构，减少了光路的距离，提高了 LED 的出光效率。同时针对 GaN 基 LED，在激光熔融或烧灼完成后，还可以在 GaN 层内的某些局部形成 Ga 金属颗粒，通过金属颗粒的作用，可以进一步提高光反射效果。

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