新材料项目推介——5、GaInP/GaAs/InGaAs/Ge 四结级联太阳电池及其制作方法

专利申请号:  

CN201410247480.1

专利类型:

发明

IPC 分类号:   

H01L31/0687H01L31/18

应用领域:  

太阳能电池

摘要:   

本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的 GaInP/GaAs/InGaAs 三结太阳和 Ge 太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为 1.9/1.4/1.0/0.67eV 的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。

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